China MOSFET de súper unión

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  650V teléfonos inteligentes más bajos en la superjunción de resistencia Mosfet para PFC

  Margen de la EMI:EMI Margin grande

  Fabricante:- ¿ Qué?

  Aplicación:Fuentes de alimentación de telecomunicaciones/servidores

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  Dispositivos discretos de potencia estable con resistencia ultra baja y gran margen de EMI

  Luces altas:100% Avalanche probado mucho más bajo RON*A Rendimiento para la eficiencia en estado

  Aplicación:Fuentes de alimentación de telecomunicaciones/servidores

  El tipo:No

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  Dispositivos discretos de energía de telecomunicaciones MOSFET tipo N

  Luces altas:100% Avalanche probado mucho más bajo RON*A Rendimiento para la eficiencia en estado

  Margen de la EMI:EMI Margin grande

  Tipo de dispositivo:Dispositivos discretos del poder

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  Mosfet de súper unión tipo N para suministro eléctrico de telecomunicaciones / servidores

  El tipo:No

  Margen de la EMI:EMI Margin grande

  Aplicación:Fuentes de alimentación de telecomunicaciones / servidores

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  Electrónica MOSFET de súper unión avanzada en fuentes de alimentación ininterrumpidas

  Luces altas:100% Avalanche probado mucho más bajo RON*A Rendimiento para la eficiencia en estado

  Aplicación:Fuentes de alimentación de telecomunicaciones/servidores

  Margen de la EMI:EMI Margin grande

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  Fuentes de alimentación de telecomunicaciones / servidores Sj Mosfet Alto rendimiento

  El tipo:No

  Fabricante:- ¿ Qué?

  Luces altas:100% Avalanche probado mucho más bajo RON*A Rendimiento para la eficiencia en estado

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  7A 650V Gran margen EMI N del canal MOSFET LC65R600F

  Aplicación:Fuentes de alimentación de telecomunicaciones/servidores

  Fabricante:- ¿ Qué?

  Margen de la EMI:EMI Margin grande

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  20A 650V Super Junction Mos para las fuentes de alimentación de los servidores de telecomunicaciones

  Luces altas:100% Avalanche probado mucho más bajo RON*A Rendimiento para la eficiencia en estado

  Fabricante:- ¿ Qué?

  Tipo de dispositivo:Dispositivos discretos del poder

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  Potencia Gran margen de EMI Super Mosfet 100% Avalanche probado

  El tipo:No

  Margen de la EMI:EMI Margin grande

  Fabricante:- ¿ Qué?

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  4A 650V 880mΩ Super Junction Mosfet con baja resistencia en el transistor HV

  Identificación:4a

  Voltaje de la Dren-fuente:Las demás:

  VGS tipo RDSON = 10V:880 mΩ

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  Si MOSFET de súper unión de alta corriente de frío Mos 47A 600V 68mΩ

  Identificación:47A

  Voltaje de la Dren-fuente:Las demás:

  VGS tipo RDSON = 10V:68 mΩ

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  20A 650V 150mΩ MOSFET de súper unión Ciss baja para fuentes de alimentación

  Identificación:20A

  Voltaje de la Dren-fuente:Las demás:

  VGS tipo RDSON = 10V:150mΩ

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