China MOSFET de súper unión

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  Dispositivos discretos de baja resistencia de potencia SJ MOS para iluminación

  Aplicación:SMPS,UPS,PFC,Inversores solares,fuentes de energía, cargador / adaptador de alto rendimiento

  Nombre del producto:Super Junction Mosfet, cool mos, SJ MOS. ¿Qué es eso?

  Fabricante:- ¿ Qué?

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  MOSFET de superunión 100% de prueba de avalancha para fuentes de alimentación de servidores de telecomunicaciones

  Fabricante:- ¿ Qué?

  El tipo:No

  Aplicación:Balastro electrónico, fuente de alimentación LED, TV Power, cargador de alto rendimiento, adaptador,

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  MOSFET de súper unión de conmutación rápida Mos fresco para cargar pila

  Fabricante:- ¿ Qué?

  El tipo:No

  Aplicación:Pilas de carga, energía fotovoltaica, inversor, herramientas eléctricas, gestión de baterías, etc.

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  Discreto de energía de los dispositivos Supper Junction MOSFET para el conductor LED

  Luces altas:Resistencia de encendido ultra baja, conmutación rápida, capacidad de DVD/dt mejorada

  Aplicación:Inversores solares, fuente de alimentación AC-DC, fuente de alimentación LED, renovables, etc.

  El poder:El poder

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  MOSFET de súper unión de usos múltiples MOSFET de refrigeración industrial duradero para PFC

  Aplicación:Fuente de alimentación de modo conmutador (SMPS), Fuente de alimentación ininterrumpida (UPS), Corre

  Cambiar:Conmutación de alta frecuencia

  Luces altas:• Diseño robusto con un mejor rendimiento EAS

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  Transistor de potencia de MOSFET de superunión tipo N anti-EMI para SMPS

  Margen de la EMI:EMI Margin grande

  Luces altas:100% Avalanche probado mucho más bajo RON*A Rendimiento para la eficiencia en estado

  El tipo:No

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  Si Super Junction Mosfet con diodo de cuerpo de recuperación rápida para tipologías de conmutación suave

  Identificación:42A

  Voltaje de la Dren-fuente:Las demás:

  VGS tipo RDSON = 10V:64 mΩ

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  Mosfet de supercruce de canal N con diodo rápido de bajo rendimiento para la fuente de alimentación en modo de conmutación

  Identificación:43A

  Voltaje de la Dren-fuente:Las demás:

  VGS tipo RDSON = 10V:72 mΩ

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  650V SJ MOSFET Ultra baja resistencia para sistemas de automatización industrial

  Aplicación:Fuentes de alimentación de telecomunicaciones/servidores

  Margen de la EMI:EMI Margin grande

  El tipo:No

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  Dispositivos discretos de potencia MOSFET de súper unión para lámparas fluorescentes compactas

  Fabricante:- ¿ Qué?

  El tipo:No

  Margen de la EMI:EMI Margin grande

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  Niveles de alta tensión Super Junction MOSFET 650V a 220F para el suministro de energía

  Luces altas:100% Avalanche probado mucho más bajo RON*A Rendimiento para la eficiencia en estado

  Tipo de dispositivo:Dispositivos discretos del poder

  Margen de la EMI:EMI Margin grande

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  MOSFET de súper unión de gran margen EMI para fuentes de alimentación de alta potencia

  Aplicación:Fuentes de alimentación de telecomunicaciones/servidores

  Tipo de dispositivo:Dispositivos discretos del poder

  El tipo:No

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