Identificación:7A
VDSS:Las demás:
VGS tipo RDSON = 10V:510 mΩ
Identificación:7A
VDSS:Las demás:
VGS tipo RDSON = 10V:520 mΩ
Identificación:47A
Voltaje de la Dren-fuente:Las demás:
VGS tipo RDSON = 10V:68 mΩ
El tipo:No
Aplicación:Vehículos de nueva energía, almacenamiento de energía fotovoltaica, gestión de la energía, suministr
Luces altas:100% Avalanche probado, muy baja resistencia, baja carga de puerta.
Fabricante:- ¿ Qué?
Luces altas:FOM mucho más bajo para la eficiencia de conmutación rápida, EMI Diseño mejorado,Capacidad de conmut
El tipo:No
Tipo de dispositivo:Dispositivos discretos del poder
Luces altas:Pérdidas extremadamente bajas debido a muy bajos FOM R dson*Qg y E oss, muy alta robustez de conmuta
Frecuencia:Frecuencia alta
El tipo:No
Tipo de dispositivo:Dispositivos discretos del poder
Luces altas:MOSFET de súper unión del circuito PFC, MOSFET de súper unión Práctico, súper unión de múltiples esc
Nombre del producto:MOSFET de súper unión/MOS de enfriamiento
Luces altas:Capacidades intrínsecas muy bajas, muy buena repetibilidad de fabricación, carga de la puerta minimi
Tipo de dispositivo:Dispositivos discretos del poder
Nombre del producto:MOSFET de súper unión
Fabricante:- ¿ Qué?
Margen de la EMI:EMI Margin grande
Aplicación:Las fases PFC, las fases PWM de conmutación dura y las fases PWM de conmutación resonante, por ejemp
Capacidad de la fuente:600KK/año
Fabricante:- ¿ Qué?
Nombre del producto:Super Junction Mosfet, Mosfet muy bueno.
Fabricante:- ¿ Qué?
Aplicación:Energía de TV, cargador de alto rendimiento,adaptador,energía de iluminación LED LED/LCD/PDP TV y mo
resistencia interna:Resistencia interna ultra pequeña
Capacidad:Capacitancia de empalme ultrabaja
Tipo de dispositivo:Dispositivos discretos del poder