Modo de mejora IGBT de inversor fiable y robusto Canal N

Name: Modo de mejora IGBT de inversor fiable y robusto Canal N
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

Todos los productos

Inversor IGBT
(37)

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MOSFET del poder más elevado
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MOSFET de súper unión
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Certificación

China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

Gran producto, exactamente como se describe, envío rápido y gran servicio.

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Modo de mejora IGBT de inversor fiable y robusto Canal N

Ampliación de imagen : Modo de mejora IGBT de inversor fiable y robusto Canal N

Datos del producto:

Lugar de origen:	China.
Nombre de la marca:	Lingxun
Certificación:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Documento:	About Lingxun(1).pdf

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	De acuerdo con sus requisitos de pedido
Precio:	According to your order requirement
Detalles de empaquetado:	Tube+Carton
Tiempo de entrega:	De acuerdo con sus requisitos de pedido
Condiciones de pago:	T/T
Capacidad de la fuente:	600KK/año

Contacto

Modo de mejora IGBT de inversor fiable y robusto Canal N

descripción

Tipo de dispositivo:

IGBT

Velocidad que cambia:

Velocidad de cambio más rápida

Frecuencia del uso:

20KHZ-60KHZ

Aplicación:

OBC, pila de carga, máquina de soldadura, fuente de alimentación de conmutación, inversor fotovoltai

Resaltar:

Inversor IGBT Canal N

N Canal IGBT

Inversor IGBT de canal N

Modo de mejora IGBT de inversor confiable y robusto Canal N

Características

• Coeficiente de temperatura positivo

• Cambios rápidos

• VCE bajo (sat)

• Confiable y resistente

Las aplicaciones

• UPS

• Las unidades motrices

• El estímulo

• Estación eléctrica portátil

etiqueta:

Inversor solar de Igbt,

Inversor de potencia IGBT,

Semiconductor de IGBT

Contacto

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Persona de Contacto: Mrs. Qinqin

Teléfono: +8618988720515

Fax: 86-189-8872-0515

Otros productos

Inversor de conmutación ultra IGBT Semiconductor de potencia para alta capacidad

frecuencia de conmutación: 20KHZ-60KHZ

El tipo: Semiconductor de potencia

Nivel de tensión: Las demás:

Aplicación: Aplicaciones PFC de los electrodomésticos, motores, ventiladores, bombas, aspiradores, inversores ge

TO-247 Inversor IGBT de 600 V para sistemas de energía renovable

Estilo de montaje: A través del agujero

Tipo de paquete: TO-247

Tipo de dispositivo: IGBT

Aplicación: Aplicaciones PFC de los electrodomésticos, motores, ventiladores, bombas, aspiradores, inversores ge

Tiempo de recuperación bajo Inversor IGBT 20KHz-60KHz con tolerancia térmica de 600V

frecuencia de conmutación: 20KHZ-60KHZ

Aplicación: Aplicaciones PFC de los electrodomésticos, motores, ventiladores, bombas, aspiradores, inversores ge

Tipo de dispositivo: IGBT

El tipo: Semiconductor de potencia

Modo de mejora de canal N Potencia IGBT 15A 650V para inversor general

Tipo de dispositivo: IGBT

Aplicación: Aplicaciones para el hogar, motores, inversores generales

Voltagem máxima del emisor de la puerta: ± 20 V

El poder: El poder

Cuatro cuadrantes de operación Inverter IGBT a través del agujero montado con interruptor de alimentación

Estilo de montaje: A través del agujero

Tipo de paquete: TO-247

Nivel de tensión: Las demás:

voltaje del Colector-emisor: Se aplican las siguientes condiciones:

Modo de mejora IGBT de inversor fiable y robusto Canal N

Inversor IGBT

IGBT de alta potencia

MOSFET del poder más elevado

MOSFET de súper unión

MOSFET de bajo voltaje

MOSFET de alto voltaje

Diodos de barrera de Schottky

Diodos de recuperación rápida

Baja FV de Schottky

Semiconductor de alta potencia

MOSFET de carburo de silicio

El carburo de silicio SBD

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30A 650V Inversor IGBT TO-247 para motores y aire acondicionado

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