calidad Inversor IGBT & IGBT de alta potencia fábrica

resistencia interna: Resistencia interna ultra pequeña

Capacidad: Capacitancia de empalme ultrabaja

Tipo de dispositivo: Dispositivos discretos del poder

Voltaje de la Puerta-fuente (VGS): ±30V

Fabricante: - ¿ Qué?

Categoría: MOSFET

Categoría: MOSFET

Voltaje de la Puerta-fuente (VGS): ±30V

País de origen: China, nuevo, sin usar

El tipo: No

Tipo de paquete: En el caso de los vehículos de la categoría M1, el valor de los valores de los vehículos de la categ

Voltaje de la Puerta-fuente (VGS): ±30V

Aplicación: Aplicaciones para el hogar, motores, ventiladores, bombas, inversores solares

Velocidad que cambia: Velocidad de cambio más rápida

Tipo de paquete: TO-247

Conforme a las normas de Rohs: Protección de la salud

Aplicación: Unidades de alimentación, motores, amplificadores de RF, comunicaciones inalámbricas

Características: Velocidad de conmutación rápida, alta eficiencia, bajo tiempo de recuperación inversa

Resistencia: Baja resistencia

Aplicaciones: Inversores de potencia, vehículos eléctricos, infraestructuras de red, accionadores industriales, el

El material: Carburo de silicio

Capacitancia de empalme: Capacidad de unión baja

Válvula de tensión: Alta tensión

Eficiencia: Alta eficiencia