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Datos del producto:
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Situación sin plomo: | Protección de la salud | El material: | el silicio |
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ventajas: | Mejora de la eficiencia del sistema | Eficiencia: | Alta eficiencia y confiable |
Resistencia: | RDS bajo (ENCENDIDO) | Consumo de energía: | Pérdida de la energía baja |
Resaltar: | MOSFET de baja tensión de canal N,MOSFET de baja tensión de la batería,Batería baja Vgs N Canal Mosfet |
MOSFET de baja tensión media de canal NProtección de la batería
Con su baja pérdida de energía, nuestro MOSFET es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y PWM, por lo que es una opción confiable para varias industrias.Su capacidad para manejar cargas de alta corriente mientras mantiene un bajo consumo de energía lo convierte en un componente altamente eficiente para cualquier diseño de circuito.
Nuestro producto MOSFET está diseñado específicamente para ayudar a mejorar la eficiencia del sistema, por lo que es una opción ideal para los sistemas de gestión de energía.Su baja resistencia Rds ((ON) asegura que el MOSFET conduzca bien incluso a voltajes más bajos, reduciendo el desperdicio de energía y mejorando así la eficiencia general del sistema.
La alta eficiencia y el rendimiento confiable del MOSFET lo convierten en una excelente opción para su uso en circuitos lógicos digitales.Su capacidad para cambiar rápidamente y manejar corrientes altas lo convierte en un componente ideal para su uso en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.
La baja pérdida de energía y la alta eficiencia del MOSFET lo convierten en una opción confiable para su uso en aplicaciones PWM.Su capacidad para manejar cargas de alta corriente mientras mantiene un bajo consumo de energía lo convierte en un componente eficiente para cualquier diseño de circuito.
En resumen, nuestro producto MOSFET de bajo voltaje es una excelente opción para cualquiera que busque un componente confiable y eficiente para su uso en circuitos lógicos digitales, conmutación de alta frecuencia,y aplicaciones PWMSu material de silicio de alta calidad, baja resistencia Rds ((ON), baja pérdida de energía, alta eficiencia y rendimiento confiable lo convierten en un producto MOSFET de alto rendimiento en el mercado.
Ventajas | Mejora de la eficiencia del sistema |
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Estado libre de plomo | RoHS |
Consumo de energía | Baja pérdida de energía |
El material | El silicio |
Eficiencia | Alta eficiencia y fiabilidad |
Resistencia | Resistencia muy baja |
Características especiales | Puede soportar sobrevoltajes transitorios, adecuado para su uso en sistemas de suministro de energía ininterrumpidos |
Estos MOSFETs son adecuados para una variedad de aplicaciones. Pueden usarse en adaptadores, que se utilizan ampliamente para alimentar dispositivos electrónicos. También pueden usarse en circuitos lógicos digitales,que se utilizan en muchos dispositivos electrónicos para realizar operacionesAdemás, estos MOSFETs son ideales para dispositivos alimentados por baterías, como teléfonos inteligentes y computadoras portátiles, ya que ayudan a prolongar la vida de la batería.
La cantidad mínima de pedido, el precio y los detalles de embalaje de estos MOSFET pueden variar dependiendo del número de piezas.Con una capacidad de suministro de 600KK/año, Lingxun se compromete a satisfacer las necesidades de sus clientes.
Estos MOSFET son compatibles con RoHS, lo que significa que no contienen plomo y son respetuosos con el medio ambiente.
P1. ¿Quiénes somos?
R:Estamos basados en Guangdong, China, la fábrica comienza desde 2012, es una empresa nacional de alta tecnología que se centra en el embalaje y prueba de dispositivos de semiconductores de potencia.Actualmente tiene más de 180 tiene más de 180 empleados y más de 10000 metros cuadrados de superficieProporcionamos más de 600 KK de alta calidad de energía de dispositivos semiconductores por año.
P2. ¿Cuál es su línea de productos?
R:Las principales líneas de producción existentes incluyen Schottky, Schottky de baja frecuencia de onda, diodos de recuperación rápida, Mosfet de alto voltaje, Mosfet de voltaje medio y bajo, Mosfet de súper unión, IGBT,Diodo de barrera de baja velocidad de SiC y SiC Mosfet, etc..
P3.¿Cuál es la aplicación de su producto?
R:Ampliamente utilizado en diversos campos como adaptadores de energía, iluminación LED, motores sin escobillas, gestión de baterías de litio, inversores, almacenamiento de energía y pila de carga, etc.
P4.¿Cuál es su ventaja competitiva?
A: ¿Qué quieres decir?1.Fábrica de fuertes capacidades. Tenemos nuestra propia fábrica de ensamblaje y pruebas, inversión fija superior a 70 millones de yuanes. Teniendo el mejor equipo automatizado Wire Bond,Proporcionar más de 600KK de dispositivos de energía de semiconductores anualmente.
2. ventajas de servicio,un sistema de suministro estable,un suministro sostenible y estable de productos.Nuestro propio laboratorio puede cooperar rápida y eficazmente con la validación.
3. Aseguramiento de calidad,La fábrica digital del sistema MES más común en el campo del embalaje y las pruebas, certificada por ISO9001 versión 2015 e IATF16949.
4. Actualización de productos, Investigación y desarrollo continuos de nuevas especificaciones y formas de embalaje para satisfacer las necesidades de aplicación de más clientes.
P5. ¿Cuáles son sus condiciones de embalaje?
R:Por lo general, los diferentes paquetes tienen un embalaje diferente.TO-252/263 es carrete + bolsa sellada + caja interior + cartón.TO-220/247 es tubo + caja interior + cartón.
P6. ¿Cuál es su MOQ?
R: Proporcionamos muestras para cada artículo. El MOQ depende de su cantidad de pedido.
¿Cuál es su garantía de calidad?
R: Ofrecer muestras para pruebas. Asegúrese de que el producto a granel sea consistente con la muestra. Si hay algún cambio, la muestra se proporcionará nuevamente para pruebas.Prueba y verificación del 100% de todos los productos antes de la entrega.
¿Qué es eso?¿Acepta la personalización?
R: Sí, ¡envíame su requerimiento!
P9. ¿Cómo puedo contactar con usted?
R: Envíe los detalles de su consulta a continuación, ¡Haga clic en Enviar, AHORA!!!
Para cualquier otra pregunta, no dude en contactarnos.
Persona de Contacto: Mrs. Qinqin
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