Modo de mejora de N-canal IGBT de alta potencia para convertidor de frecuencia

Name: Modo de mejora de N-canal IGBT de alta potencia para convertidor de frecuencia
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

Todos los productos

Inversor IGBT
(37)

IGBT de alta potencia
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MOSFET del poder más elevado
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MOSFET de súper unión
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MOSFET de bajo voltaje
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MOSFET de alto voltaje
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Diodos de barrera de Schottky
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Diodos de recuperación rápida
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MOSFET de carburo de silicio
(21)

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Los Mejores Productos

Alta eficiencia 15A 650V de alta potencia IGBT TO-263C para el control del motor

Inversor de transistores bipolares de puertas aisladas multiscene para fuentes de alimentación ininterrumpidas

Capacidad de bloqueo de alto voltaje TO-247 IGBT 40A 1200V para la conversión de energía

Certificación

China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

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Modo de mejora de N-canal IGBT de alta potencia para convertidor de frecuencia

Ampliación de imagen : Modo de mejora de N-canal IGBT de alta potencia para convertidor de frecuencia

Datos del producto:

Lugar de origen:	China.
Nombre de la marca:	Lingxun
Certificación:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Documento:	About Lingxun(1).pdf

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	De acuerdo con sus requisitos de pedido
Precio:	According to your order requirement
Detalles de empaquetado:	Tube+Carton
Tiempo de entrega:	De acuerdo con sus requisitos de pedido
Condiciones de pago:	T/T
Capacidad de la fuente:	600KK/año

Contacto

Modo de mejora de N-canal IGBT de alta potencia para convertidor de frecuencia

descripción

Velocidad que cambia:	Velocidad de cambio más rápida	Nombre del producto:	IGBT de alta potencia
Aplicación:	OBC, pila de carga, máquina de soldadura, fuente de alimentación de conmutación, inversor fotovoltai	ventajas:	Diseño de mesa estrecha, diseño de combinación de ranuras más optimizado, diseño de mayor confiabili
Tipo de dispositivo:	IGBT	paquete:	TO-247
Resaltar:	IGBT de alta potencia , Conversor de frecuencia IGBT de alta potencia , Modo de mejora IGBT de alta potencia

MOSFET multifuncional de bajo voltaje para gestión de energía

Características

• Coeficiente de temperatura positivo

• Conmutación de alta velocidad

• Baja tensión de saturación del colector con el emisor

• Facilidad de conmutación paralela

• Cortocircuito soporta tiempo de 10 μs

• Alto rendimiento de resistencia

Las aplicaciones

• Estación eléctrica portátil

• El conductor de automóviles

Envase:

TO-247

etiqueta:

Persona de Contacto: Mrs. Qinqin

Teléfono: +8618988720515

Fax: 86-189-8872-0515

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Nivel de tensión: Se aplican las siguientes condiciones:

Aplicación: Fuentes de alimentación ininterrumpidas, dispositivo de depilación, flash

Velocidad que cambia: Velocidad de cambio más rápida

Frecuencia del uso: 20KHZ-60KHZ

N Canal 15A 650V IGBT de alta potencia TO-220F para electrodomésticos

Tipo de dispositivo: IGBT

Aplicación: Conmutación de alta potencia

Voltagem máxima del emisor de la puerta: ± 20 V

El poder: El poder

600V-1200V Potencia IGBT Alto rendimiento de robustez para aplicaciones PFC

Velocidad que cambia: Velocidad de cambio más rápida

Aplicación: • Fuentes de alimentación ininterrumpidas, inversores solares Conversores resonantes

Nivel de tensión: Se aplican las siguientes condiciones:

Frecuencia del uso: 20KHZ-60KHZ

30A 650V N canal de alta potencia IGBT para la máquina de soldadura eléctrica

voltaje del Colector-emisor: Las demás:

voltaje del Puerta-emisor: ±20

Corriente pulsada del colector, tp limitada por Tvjmax: Las demás:

Disipación de energía (TC=25°C): 50 W

Velocidad de conmutación rápida Potencia IGBT 650V-1200V para infraestructura de red

Aplicación: Aplicaciones para el hogar, motores, ventiladores, bombas, inversores solares

Velocidad que cambia: Velocidad de cambio más rápida

Tipo de paquete: TO-247

Tipo de dispositivo: IGBT

Modo de mejora de N-canal IGBT de alta potencia para convertidor de frecuencia

Inversor IGBT

IGBT de alta potencia

MOSFET del poder más elevado

MOSFET de súper unión

MOSFET de bajo voltaje

MOSFET de alto voltaje

Diodos de barrera de Schottky

Diodos de recuperación rápida

Baja FV de Schottky

Semiconductor de alta potencia

MOSFET de carburo de silicio

El carburo de silicio SBD

Alta eficiencia 15A 650V de alta potencia IGBT TO-263C para el control del motor

Inversor de transistores bipolares de puertas aisladas multiscene para fuentes de alimentación ininterrumpidas

Capacidad de bloqueo de alto voltaje TO-247 IGBT 40A 1200V para la conversión de energía

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IGBT de alta potencia

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Modo de mejora IGBT de alta potencia

IGBT de alto voltaje,

N Canal IGBT,

Transistor de poder de IGBT

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