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China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaciones

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2025-02-08 09:41:57

Velocidad de conmutación rápida IGBT de alta potencia limpia para electrónica automotriz
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2025-02-08 09:41:53

Conversión de potencia eficiente IGBT de alta potencia para fuentes de alimentación de modo conmutado
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Transistor de alto voltaje tipo N TO-220F con baja capacidad de unión
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Baja filtración Baja capacidad de unión Alta temperatura Resistencia Voltagem Canal N Semiconductor de potencia
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7A 650V 525mΩ TO-220F MOS frío para suministro de energía ininterrumpido
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2025-02-08 09:42:12

11A 600V 338mΩ TO-220F MOS frío FOM bajo para fuentes de alimentación Canal N
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TO-220F Transistores de efecto de campo de óxido metálico semiconductor 15A 600V 274mΩ
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19A 600V 160mΩ Semiconductor de alta potencia para fuentes de alimentación industriales
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