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TO-247 Modo de mejora de potencia IGBT 25A 1200V Capacidad de alta corriente
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Diodos de recuperación rápida 16A400V a 220F 15-35ns para el rectificador de potencia MUR1640FCT
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Circuitos electrónicos de alta densidad de integración de voltaje de umbral de puerta baja
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Transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico de bajo voltaje para electrónica portátil
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Dispositivos discretos de potencia estable con resistencia ultra baja y gran margen de EMI
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TO-247 Transistor bipolar de puerta aislada 650V-1200V para unidades de suministro de energía
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MOS de Superjunción de 600 V para el suministro de energía AC-DC
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650V-1200V Válvula de alta potencia IGBT para inversor industrial
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IGBT de alta potencia mejorada para el control y la conversión de potencia
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Impedancia de entrada alta IGBT de alta potencia 20KHz-60KHz para electrónica de consumo
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