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China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaciones

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10A 200V Baja frecuencia de frecuencia de alta saturación de corriente inversa Diodos Schottky MBR10200FCT
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2025-02-08 09:43:24

Puerta baja de silicio Término de voltaje Mosfet asequible
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2025-02-08 09:42:43

20KHz-60KHz Application Frequency and 650V-1200V Voltage Rating High ruggedness performance
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2025-09-25 09:06:53

Baja frecuencia VCE alta potencia IGBT velocidad de conmutación más rápida para la central eléctrica portátil
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2025-03-29 23:28:09

Conmutación más rápida IGBT de alta potencia 20KHz-60KHz para conversiones de potencia de voltaje
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2025-02-08 09:41:55

TO-247 IGBT de alta potencia 650V-1200V para el control del motor CA
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2025-02-08 09:41:52

30A100V SBT30L100CT Schottky de baja tensión hacia adelante para unidades de suministro de energía TO-220AB
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28A500V CS28N50A6 MOSFET de alto voltaje de ruptura para la fuente de alimentación en modo interruptor
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5A650V CS5N65A2 MOSFET de alta velocidad de conmutación para la conversión de energía
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Diodos Schottky 40A150V Baja caída de voltaje hacia adelante para un rendimiento óptimo MBR40150FCT
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