Inicio Productoshigh voltage semiconductor fabricante en línea

Todos los productos

Inversor IGBT
(37)

IGBT de alta potencia
(48)

MOSFET del poder más elevado
(48)

MOSFET de súper unión
(48)

MOSFET de bajo voltaje
(81)

MOSFET de alto voltaje
(54)

Diodos de barrera de Schottky
(80)

Diodos de recuperación rápida
(49)

Baja FV de Schottky
(65)

Semiconductor de alta potencia
(28)

MOSFET de carburo de silicio
(21)

El carburo de silicio SBD
(21)

Certificación

China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

Gran producto, exactamente como se describe, envío rápido y gran servicio.

—— ¿Qué quieres decir?

muy rápido envío, bien empaquetado y estos cables son definitivamente de alta calidad! no he comprado en ningún otro lugar y seguirá recibiendo mis cables de este vendedor! AAA+++

—— el hombre

Excelente servicio como de costumbre he comprado de este vendedor varias veces entrega rápida

—— ¿ Qué pasa?

Estoy en línea para chatear ahora

high voltage semiconductor fabricación en línea

(588)

Diodos de barrera de Schottky para las fuentes de alimentación MBR2060FCT
Contacto

2025-02-08 09:43:28

LT80N06AF 60V 80A N MOSFET de bajo voltaje de canal N para fuentes de alimentación
Contacto

2025-03-29 23:29:43

Sin plomo Silicio de puerta baja de umbral de voltaje Mosfet seguro
Contacto

2025-02-08 09:42:33

MOSFET de baja tensión de 60 V a 220 C, adecuado para la electrónica moderna
Contacto

2025-02-08 09:42:40

Componentes esenciales MOSFET de baja tensión Variedad de dispositivos y sistemas electrónicos
Contacto

2025-02-08 09:42:40

Velocidad de conmutación rápida IGBT de alta potencia limpia para electrónica automotriz
Contacto

2025-02-08 09:41:53

20A150V MBR20150CS Diodos de barrera Schottky Commutador de alta frecuencia Fuente de alimentación con velocidad de conmutación rápida
Contacto

2025-03-29 23:29:22

30A100V MBR30100CT Diodos Schottky de baja frecuencia con alta corriente de saturación inversa
Contacto

2025-02-08 09:43:23

40A200V MBR40200CT Diodos de barrera de Schottky con baja tensión hacia adelante
Contacto

2025-02-08 09:43:20

10A 150V MBR10150FCT Diodos de barrera Schottky asequibles para conmutación de alta frecuencia y convertidores de CC / DC a bordo
Contacto

2025-02-08 09:43:25

Page 18 of 59|< << 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 >> >|

Inversor IGBT

IGBT de alta potencia

MOSFET del poder más elevado

MOSFET de súper unión

MOSFET de bajo voltaje

MOSFET de alto voltaje

Diodos de barrera de Schottky

Diodos de recuperación rápida

Baja FV de Schottky

Semiconductor de alta potencia

MOSFET de carburo de silicio

El carburo de silicio SBD

high voltage semiconductor fabricación en línea

Diodos de barrera de Schottky para las fuentes de alimentación MBR2060FCT
Contacto

LT80N06AF 60V 80A N MOSFET de bajo voltaje de canal N para fuentes de alimentación
Contacto

Sin plomo Silicio de puerta baja de umbral de voltaje Mosfet seguro
Contacto

MOSFET de baja tensión de 60 V a 220 C, adecuado para la electrónica moderna
Contacto

Componentes esenciales MOSFET de baja tensión Variedad de dispositivos y sistemas electrónicos
Contacto

Velocidad de conmutación rápida IGBT de alta potencia limpia para electrónica automotriz
Contacto

20A150V MBR20150CS Diodos de barrera Schottky Commutador de alta frecuencia Fuente de alimentación con velocidad de conmutación rápida
Contacto

30A100V MBR30100CT Diodos Schottky de baja frecuencia con alta corriente de saturación inversa
Contacto

40A200V MBR40200CT Diodos de barrera de Schottky con baja tensión hacia adelante
Contacto

10A 150V MBR10150FCT Diodos de barrera Schottky asequibles para conmutación de alta frecuencia y convertidores de CC / DC a bordo
Contacto

El carburo de silicio SBD

Diodos de barrera Schottky de carburo de silicio de potencia para horno eléctrico

SBD de carburo de silicio de alto voltaje de ruptura para centro de datos

Máquina de soldadura de carburo de silicio industrial

Inversor IGBT

15A 1200V Inverter Cortocircuito IGBT Resiste el tiempo 10μS para el conductor del motor

Modo de mejora IGBT de inversor fiable y robusto Canal N

Estación de carga Transistor IGBT multipropósito para aplicaciones OBC