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Semiconductor de alta potencia

China Semiconductor de alta potencia

Semiconductor Mos de alta tensión de baja fuga para carga de pila

Eficiencia:Alta eficiencia

El tipo:No

Fugas:Salida baja
Semiconductores de alta potencia de canal N con baja fugas y baja capacidad de unión

El tipo:No

Fugas:Salida baja

Eficiencia:Alta eficiencia
IGBT de baja fuga de N canales de alta potencia para aplicaciones industriales

Eficiencia:Alta eficiencia

El tipo:No

Capacitancia de empalme:Capacidad de unión baja
Diseño de tipo N Semiconductor de alta potencia TO-220F con capacidades de conmutación rápida

Capacitancia de empalme:Capacidad de unión baja

Eficiencia:Alta eficiencia

Luces altas:Los semiconductores de potencia de alto voltaje se caracterizan por su capacidad para manejar altos
MOSFET de alta potencia con baja fuga de N canales TO-220F TO-263C TO-247AC

Resistencia a la temperatura:Resistencia a altas temperaturas

Válvula de tensión:Alta tensión

Luces altas:Los semiconductores de potencia de alto voltaje se caracterizan por su capacidad para manejar altos
Excelencia de la carga de la puerta N canal de super unión MOSFET 4A650V LCS65R900 Semiconductor de alta potencia

Consumo de energía:Pérdida de la energía baja

Situación sin plomo:Protección de la salud

Resistencia:RDS bajo (ENCENDIDO)
Resistencia a altas temperaturas Baja fuga N Tipo MOSFET de baja capacidad de unión para eficiencia energética avanzada

Capacitancia de empalme:Capacidad de unión baja

Eficiencia:Alta eficiencia

El tipo:No
Baja capacidad de unión potencia N canal semiconductor

Capacitancia de empalme:Capacidad de unión baja

Eficiencia:Alta eficiencia

Resistencia a la temperatura:Resistencia a altas temperaturas
Tensión de baja capacidad de unión IGBT para temperatura con baja fuga

Capacitancia de empalme:Capacidad de unión baja

Eficiencia:Alta eficiencia

El tipo:No
Baja filtración Baja capacidad de unión Alta temperatura Resistencia Voltagem Canal N Semiconductor de potencia

Fugas:Salida baja

Capacitancia de empalme:Capacidad de unión baja

Luces altas:Los semiconductores de potencia de alto voltaje se caracterizan por su capacidad para manejar altos
MOSFET de potencia con resistencia a altas temperaturas, baja fuga y baja capacidad de unión

El tipo:No

Válvula de tensión:Alta tensión

Luces altas:Los semiconductores de potencia de alto voltaje se caracterizan por su capacidad para manejar altos
Aplicación múltiple Semiconductor de alta potencia Canal N

Válvula de tensión:Alta tensión

ventajas:Proceso estable y calidad fiable

Capacitancia de empalme:Capacidad de unión baja

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Semiconductor de alta potencia

China Semiconductor de alta potencia

Semiconductor Mos de alta tensión de baja fuga para carga de pila

Semiconductores de alta potencia de canal N con baja fugas y baja capacidad de unión

IGBT de baja fuga de N canales de alta potencia para aplicaciones industriales

Diseño de tipo N Semiconductor de alta potencia TO-220F con capacidades de conmutación rápida

MOSFET de alta potencia con baja fuga de N canales TO-220F TO-263C TO-247AC

Excelencia de la carga de la puerta N canal de super unión MOSFET 4A650V LCS65R900 Semiconductor de alta potencia

Resistencia a altas temperaturas Baja fuga N Tipo MOSFET de baja capacidad de unión para eficiencia energética avanzada

Baja capacidad de unión potencia N canal semiconductor

Tensión de baja capacidad de unión IGBT para temperatura con baja fuga

Baja filtración Baja capacidad de unión Alta temperatura Resistencia Voltagem Canal N Semiconductor de potencia

MOSFET de potencia con resistencia a altas temperaturas, baja fuga y baja capacidad de unión

Aplicación múltiple Semiconductor de alta potencia Canal N

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