Inicio Productos

MOSFET de bajo voltaje

Los Mejores Productos

MOSFET de baja tensión multipropósito para 220C para suministro de energía ininterrumpido

MOSFET de bajo voltaje multifuncional para rectificación síncrona

50A 200V Baja tensión de la puerta Mosfet Alta eficiencia

China MOSFET de bajo voltaje

160A 60V MOSFET de baja tensión de zanja avanzada a 220F para interruptor de carga

El material:el silicio

Resistencia:RDS bajo (ENCENDIDO)

ventajas:Mejora de la eficiencia del sistema
TO-220C LT50N06AP Bajo Término de Tensión Mosfet Canal N

paquete:Se aplicará el método siguiente:

Situación sin plomo:Protección de la salud

Resistencia:RDS bajo (ENCENDIDO)
50A 100V de baja tensión de entrada Mosfet LG50N10AP

Identificación:50A

VDSS:Las demás:

paquete:Se aplicará el método siguiente:
LG80N10AF 100V a 220F MOSFET de bajo voltaje para protección de baterías

Consumo de energía:Pérdida de la energía baja

ventajas:Mejora de la eficiencia del sistema

Resistencia:RDS bajo (ENCENDIDO)
15A 100V TO-252 paquete Mosfet de baja tensión para diseño electrónico

Identificación:15A

VDSS:Las demás:

El tipo de energía emitida es el RDSON-typ (@VGS=10V):86 mΩ
Modo de mejora de la tecnología avanzada de la zanja de energía Mosfet N canal para la gestión de la energía

Consumo de energía:Pérdida de la energía baja

Situación sin plomo:Protección de la salud

Resistencia:RDS bajo (ENCENDIDO)
MOSFET de baja tensión polivalente de alta eficiencia para el conductor de motor

Consumo de energía:Pérdida de la energía baja

El material:el silicio

Resistencia:RDS bajo (ENCENDIDO)
MOSFET de baja tensión para circuitos electrónicos mejora la eficiencia del sistema

Situación sin plomo:Protección de la salud

ventajas:Mejora de la eficiencia del sistema

paquete:Se aplicará a los productos de las categorías siguientes:
110A55V MOSFET de baja potencia de silicio a-220AB paquete para circuitos lógicos digitales

ventajas:Mejora de la eficiencia del sistema

Situación sin plomo:Protección de la salud

El material:el silicio
110A 55V Silicio de Bajo Término de Tensión Mosfet TO-263 paquete

Situación sin plomo:Protección de la salud

Resistencia:RDS bajo (ENCENDIDO)

paquete:TO-263
Eficiencia TO-220AB Baja Vgs Mosfet Mejorado la eficiencia del sistema

Situación sin plomo:Protección de la salud

Resistencia:RDS bajo (ENCENDIDO)

Consumo de energía:Pérdida de la energía baja
Rendimiento confiable Circuitos electrónicos Mosfet de bajo voltaje

Situación sin plomo:Protección de la salud

paquete:TO-252

ventajas:Mejora de la eficiencia del sistema

Page 3 of 7|< << 1 2 3 4 5 6 7 >> >|

Examinar las categorías：

MOSFET de bajo voltaje

MOSFET de baja tensión multipropósito para 220C para suministro de energía ininterrumpido

MOSFET de bajo voltaje multifuncional para rectificación síncrona

50A 200V Baja tensión de la puerta Mosfet Alta eficiencia

China MOSFET de bajo voltaje

160A 60V MOSFET de baja tensión de zanja avanzada a 220F para interruptor de carga

TO-220C LT50N06AP Bajo Término de Tensión Mosfet Canal N

50A 100V de baja tensión de entrada Mosfet LG50N10AP

LG80N10AF 100V a 220F MOSFET de bajo voltaje para protección de baterías

15A 100V TO-252 paquete Mosfet de baja tensión para diseño electrónico

Modo de mejora de la tecnología avanzada de la zanja de energía Mosfet N canal para la gestión de la energía

MOSFET de baja tensión polivalente de alta eficiencia para el conductor de motor

MOSFET de baja tensión para circuitos electrónicos mejora la eficiencia del sistema

110A55V MOSFET de baja potencia de silicio a-220AB paquete para circuitos lógicos digitales

110A 55V Silicio de Bajo Término de Tensión Mosfet TO-263 paquete

Eficiencia TO-220AB Baja Vgs Mosfet Mejorado la eficiencia del sistema

Rendimiento confiable Circuitos electrónicos Mosfet de bajo voltaje

El carburo de silicio SBD

Diodos de barrera Schottky de carburo de silicio de potencia para horno eléctrico

SBD de carburo de silicio de alto voltaje de ruptura para centro de datos

Máquina de soldadura de carburo de silicio industrial

Inversor IGBT

15A 1200V Inverter Cortocircuito IGBT Resiste el tiempo 10μS para el conductor del motor

Modo de mejora IGBT de inversor fiable y robusto Canal N

Estación de carga Transistor IGBT multipropósito para aplicaciones OBC