China MOSFET del poder más elevado

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  MOSFET de alta potencia de conmutación de alta frecuencia para automatización industrial

  Aplicaciones:Electrodomésticos inteligentes, circuito eléctrico, nueva energía

  Beneficios:Capacidad de transferencia inversa baja

  Tipo de paquete:En el caso de las empresas de la Unión Europea:

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  Iluminación MOSFET de alta potencia industrial de escenas múltiples Estable conmutación rápida

  El tipo:No

  Voltaje de la Puerta-fuente (VGS):±30V

  El poder:El poder

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  MOSFET de alta potencia para fuentes de alimentación

  Cantidad de orden mínima:De acuerdo con sus requisitos de pedido

  Precio:According to your order requirement

  Detalles de empaquetado:El tubo

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  MOSFET de baja Ciss de alta potencia ideal para la corrección del factor de potencia

  Cantidad de orden mínima:De acuerdo con sus requisitos de pedido

  Precio:According to your order requirement

  Detalles de empaquetado:GB+Cartón maestro

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  Capacidades de transferencia inversa bajas Mosfet de alta potencia para adaptador de energía

  El tipo:No

  El poder:El poder

  Voltaje de la Puerta-fuente (VGS):±30V

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  MOSFET de alta potencia de conmutación rápida N canal estable para el conductor del motor

  Nombre del producto:MOSFET del poder más elevado

  Frecuencia:Frecuencia alta

  El poder:El poder

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  5A 500V 1.33Ω MOSFET de alta potencia de conmutación rápida para energía de espera

  Identificación:5A

  Voltaje de la Dren-fuente:Las demás:

  VGS tipo RDSON = 10V:1.33Ω

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  3A 500V 2.85Ω MOSFET de alta potencia de canal N para secador de pelo y adaptador

  Identificación:3A

  Voltaje de la Dren-fuente:Las demás:

  VGS tipo RDSON = 10V:2.85Ω

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  MOSFET de alta potencia de Qgd Ultra Bajo TO-252 15A 650V 230mΩ para fuente de alimentación AC-DC

  Identificación:7A

  Voltaje de la Dren-fuente:Las demás:

  VGS tipo RDSON = 10V:230mΩ

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  MOSFET de baja resistencia de alta potencia 15A 600V 238mΩ para controladores LED

  Identificación:15A

  Voltaje de la Dren-fuente:Las demás:

  VGS tipo RDSON = 10V:238 mΩ

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  MOSFET de alta potencia de canal N 7A 600V 530mΩ para inversores solares

  Identificación:7A

  VDSS:Las demás:

  VGS tipo RDSON = 10V:530 mΩ

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  Diseño robusto MOSFET de alta potencia 30V para una fuente de alimentación ininterrumpida

  Fabricante:LX

  Voltaje de la Puerta-fuente (VGS):±30V

  País de origen:China, nuevo, sin usar

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