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China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaciones

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sic power mosfet fabricación en línea

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HBT20L200FCT Conmutación de baja tensión 20A200V Schottky en paquete TO-220F
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2025-02-08 09:44:17

VF ultra bajo 30A 200V HBT30L200FCT TO-220F Schottky para comunicaciones inalámbricas
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2025-02-08 09:44:16

10A HBT10L200SFCT Diodos de baja frecuencia con paquete TO-220F
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2025-02-08 09:44:15

10A 200V HBT10L200 100% de cobre puro Diodos ultrabajos de Vf / diodo de voltaje muy bajo TO-220AB
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2025-02-08 09:44:15

30A 200V HBT30L200CT - Diodo Schottky de velocidad de conmutación y densidad de corriente
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2025-02-08 09:44:15

30A 650V Inversor IGBT TO-247 para motores y aire acondicionado
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2025-03-29 23:30:04

15A 1200V Inverter Cortocircuito IGBT Resiste el tiempo 10μS para el conductor del motor
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2025-02-08 09:41:38

30A150V SBT30L150FCT Baja frecuencia de frecuencia de Schottky Alta eficiencia para rectificadores
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2025-02-08 09:44:10

Diodos de Schottky de baja frecuencia 30A60V MBR3060CT para electrónica automotriz
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2025-02-08 09:43:21

10A100V MBR10100CT Diodos de barrera Schottky para radiofrecuencia
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