Inicio Productossic power mosfet fabricante en línea

Todos los productos

Inversor IGBT
(37)

IGBT de alta potencia
(38)

MOSFET del poder más elevado
(48)

MOSFET de súper unión
(48)

MOSFET de bajo voltaje
(81)

MOSFET de alto voltaje
(54)

Diodos de barrera de Schottky
(80)

Diodos de recuperación rápida
(49)

Baja FV de Schottky
(65)

Semiconductor de alta potencia
(28)

MOSFET de carburo de silicio
(21)

El carburo de silicio SBD
(21)

Certificación

China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

Gran producto, exactamente como se describe, envío rápido y gran servicio.

—— ¿Qué quieres decir?

muy rápido envío, bien empaquetado y estos cables son definitivamente de alta calidad! no he comprado en ningún otro lugar y seguirá recibiendo mis cables de este vendedor! AAA+++

—— el hombre

Excelente servicio como de costumbre he comprado de este vendedor varias veces entrega rápida

—— ¿ Qué pasa?

Estoy en línea para chatear ahora

sic power mosfet fabricación en línea

(574)

7A650V CS7N65A2 Mosfet de alto voltaje para unidades de alimentación con conmutación rápida
Contacto

2025-02-08 09:43:04

7A700V TO-220F CS7N70A2 HV MOSFET para la fuente de alimentación del modo de interruptor de control del motor
Contacto

2025-02-08 09:43:03

4A700V TO-220F CS4N70A2 MOSFET de alta tensión de conmutación rápida para la fuente de alimentación en modo de conmutación
Contacto

2025-02-08 09:43:03

10A500V MOSFET de baja resistencia de alto voltaje con eficiencia y durabilidad mejoradas para la conversión de energía
Contacto

2025-02-08 09:43:02

5A500V CS5N50A2 MOSFET de alto voltaje 100% Avalanche probado N canal para aplicaciones de alto voltaje
Contacto

2025-02-08 09:43:02

4A650V CS4N65A2 TO-220 MOSFET de alta tensión circuito de interruptor de alimentación
Contacto

2025-02-08 09:43:07

11A 650V 340mΩ TO-220F MOSFET de alto voltaje para la protección de la batería
Contacto

2025-02-08 09:43:12

4A 650V 880mΩ Super Junction Mosfet con baja resistencia en el transistor HV
Contacto

2025-02-08 09:42:14

11A 400V MOSFET de alta tensión con baja resistencia en el canal N para UPS
Contacto

2025-02-08 09:43:14

Conversión de potencia eficiente IGBT de alta potencia para fuentes de alimentación de modo conmutado
Contacto

2025-02-08 09:41:53

Page 33 of 58|< << 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 >> >|

Inversor IGBT

IGBT de alta potencia

MOSFET del poder más elevado

MOSFET de súper unión

MOSFET de bajo voltaje

MOSFET de alto voltaje

Diodos de barrera de Schottky

Diodos de recuperación rápida

Baja FV de Schottky

Semiconductor de alta potencia

MOSFET de carburo de silicio

El carburo de silicio SBD

sic power mosfet fabricación en línea

7A650V CS7N65A2 Mosfet de alto voltaje para unidades de alimentación con conmutación rápida
Contacto

7A700V TO-220F CS7N70A2 HV MOSFET para la fuente de alimentación del modo de interruptor de control del motor
Contacto

4A700V TO-220F CS4N70A2 MOSFET de alta tensión de conmutación rápida para la fuente de alimentación en modo de conmutación
Contacto

10A500V MOSFET de baja resistencia de alto voltaje con eficiencia y durabilidad mejoradas para la conversión de energía
Contacto

5A500V CS5N50A2 MOSFET de alto voltaje 100% Avalanche probado N canal para aplicaciones de alto voltaje
Contacto

4A650V CS4N65A2 TO-220 MOSFET de alta tensión circuito de interruptor de alimentación
Contacto

11A 650V 340mΩ TO-220F MOSFET de alto voltaje para la protección de la batería
Contacto

4A 650V 880mΩ Super Junction Mosfet con baja resistencia en el transistor HV
Contacto

11A 400V MOSFET de alta tensión con baja resistencia en el canal N para UPS
Contacto

Conversión de potencia eficiente IGBT de alta potencia para fuentes de alimentación de modo conmutado
Contacto

El carburo de silicio SBD

Diodos de barrera Schottky de carburo de silicio de potencia para horno eléctrico

SBD de carburo de silicio de alto voltaje de ruptura para centro de datos

Máquina de soldadura de carburo de silicio industrial

Inversor IGBT

15A 1200V Inverter Cortocircuito IGBT Resiste el tiempo 10μS para el conductor del motor

Modo de mejora IGBT de inversor fiable y robusto Canal N

Estación de carga Transistor IGBT multipropósito para aplicaciones OBC