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China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaciones

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Baja pérdida de conducción Tiempo de recuperación rápido Mosfet de enfriamiento 30A 650V 99mΩ
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2025-02-08 09:42:29

7A 650V 520mΩ Super Junction Mosfet N-Channel a 220F para el suministro de energía
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2025-02-08 09:42:29

Corrección del factor de potencia Superjunción MOSFET 11A 650V 350mΩ
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2025-02-08 09:42:28

Mosfet de supercruce de canal N con diodo rápido de bajo rendimiento para la fuente de alimentación en modo de conmutación
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2025-02-10 16:22:39

Si Super Junction Mosfet con diodo de cuerpo de recuperación rápida para tipologías de conmutación suave
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2025-02-10 16:53:46

Resistencia a altas temperaturas Baja fuga N Tipo MOSFET de baja capacidad de unión para eficiencia energética avanzada
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2025-03-29 23:28:27

70A 650V 38mΩ Si MOSFET de súper unión con diodo de recuperación rápida
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2025-02-10 10:28:07

FRD Si Super Junction MOSFET 47A 600V 68mΩ para el suministro de energía
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2025-02-08 09:42:23

Si MOSFET de súper unión de alta corriente de frío Mos 47A 600V 68mΩ
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2025-02-08 09:42:14

7A 650V 520mΩ TO-252 Regulador de conmutación Mosfet de súper unión
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2025-02-08 09:42:28

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