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Tensión de baja capacidad de unión IGBT para temperatura con baja fuga
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Baja capacidad de unión potencia N canal semiconductor
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Resistencia a altas temperaturas Baja fuga N Tipo MOSFET de baja capacidad de unión para eficiencia energética avanzada
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N Semiconductor de alto voltaje TO-251 con mejor rendimiento térmico
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Discreto de baja fuga de alta potencia dispositivos semiconductores Mejorado la eficiencia energética
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Semiconductor de alta resistencia a la temperatura con baja capacidad de unión
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Diseño de tipo N Semiconductor de alta potencia TO-220F con capacidades de conmutación rápida
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Tolerancia de alta tensión Semiconductor de potencia TO-220F para convertidor de potencia
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