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China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaciones

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low voltage power mosfet fabricación en línea

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Diodos de recuperación de 20A400V con tiempo de recuperación inverso ultracorto MUR2040FCT
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2025-02-08 09:43:48

Diodos de recuperación rápida de alta fiabilidad para rectificación MUR3060FCT
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2025-02-08 09:43:53

MUR1560 Diodos de recuperación 1A 600V Capacidad de conmutación ultrarrápida Rohs
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2025-02-08 09:43:52

Recuperar MUR1060 Diodos de recuperación rápida 15-35ns
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2025-02-08 09:43:51

30A 200V HBT30L200CT - Diodo Schottky de velocidad de conmutación y densidad de corriente
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2025-02-08 09:44:15

20A150V Diodos de barrera Schottky para la conversión de CA en CC MBR20150FCT
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2025-02-08 09:43:27

Diodos de recuperación de sobretensiones 20A 600V para iluminación de la luz MUR2060FCT
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2025-02-08 09:43:30

Diodos de recuperación ultra con tiempo de recuperación inverso de 15-35ns para circuitos de alta frecuencia MUR2020CT
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2025-02-10 11:01:32

15A 1200V Inverter Cortocircuito IGBT Resiste el tiempo 10μS para el conductor del motor
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2025-02-08 09:41:38

Superjunción de alta densidad de refrigeración Mos 4A 650V 880mΩ para SMPS
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2025-02-08 09:42:28

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