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China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaciones

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HBT20L200FCT Conmutación de baja tensión 20A200V Schottky en paquete TO-220F
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2025-02-08 09:44:17

VF ultra bajo 30A 200V HBT30L200FCT TO-220F Schottky para comunicaciones inalámbricas
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2025-02-08 09:44:16

10A HBT10L200SFCT Diodos de baja frecuencia con paquete TO-220F
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2025-02-08 09:44:15

10A 200V HBT10L200 100% de cobre puro Diodos ultrabajos de Vf / diodo de voltaje muy bajo TO-220AB
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2025-02-08 09:44:15

30A 200V HBT30L200CT - Diodo Schottky de velocidad de conmutación y densidad de corriente
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2025-02-08 09:44:15

Renombrado Lingxun Low VF MBR1045FCT Diodos de barrera Schottky para un suministro de energía rentable
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2025-02-08 09:43:29

15A 100V TO-252 paquete Mosfet de baja tensión para diseño electrónico
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2025-03-29 23:29:27

LG80N10AF 100V a 220F MOSFET de bajo voltaje para protección de baterías
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LG50N10AD TO-252 Mosfet de baja tensión Eficiencia de larga duración
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2025-04-23 17:34:19

50A 100V de baja tensión de entrada Mosfet LG50N10AP
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2025-03-29 23:29:32

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