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China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaciones

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Tiempo de recuperación inverso bajo VF bajo Schottky TO-220 TO-247 para electrónica de consumo
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Semiconductor Mos de alta tensión de baja fuga para carga de pila
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Diodo de barrera Schottky de carburo de silicio de alto voltaje de descomposición para la industria
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Diodos de carburo de silicio de rendimiento estable TO-220AC TO-247AC para cocina eléctrica
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Diodos de barrera Schottky de carburo de silicio de baja resistencia para equipos de audio
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Carga de puerta baja de montaje de superficie SJ Mosfet 7A 650V 525mΩ Para SMPS
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7A 650V 520mΩ TO-252 Regulador de conmutación Mosfet de súper unión
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MOSFET 11A 650V 350mΩ para convertidores
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3A 500V 2.85Ω N MOSFET de canal a 220F Transistor estable
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40A100V TO-263 Montaje de superficie Diodos rectificadores de baja frecuencia de Schottky SBT40L100DC
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