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Certificación

China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaciones

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high voltage igbt fabricación en línea

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Diodos de recuperación rápida y duraderos con tiempo de recuperación ultra alto hasta 220FAC MUR1560F
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2025-02-08 09:43:48

Renombrado Lingxun Low VF MBR1045FCT Diodos de barrera Schottky para un suministro de energía rentable
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2025-02-08 09:43:29

LT40P04AD TO-252 Paquete de baja potencia P Mosfet de canal para aplicaciones PWM
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2025-04-23 17:34:19

110A55V MOSFET de baja potencia de silicio a-220AB paquete para circuitos lógicos digitales
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2025-02-08 09:42:45

Eficiencia TO-220AB Baja Vgs Mosfet Mejorado la eficiencia del sistema
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2025-02-08 09:42:44

Bajas pérdidas de silicio en el mosfet para el consumo de energía en aplicaciones avanzadas
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2025-02-08 09:42:43

Bajo consumo de silicio Mosfet de bajo umbral en dispositivos con batería
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2025-02-08 09:42:32

TO-220C Mosfets de baja potencia Dispositivos electrónicos Mejora de la eficiencia del sistema
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2025-02-08 09:42:33

20A100V SBT20V100CT Velocidad de cambio rápida baja VF Schottky TO-220AB
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2025-02-08 09:44:02

30A150V SBT30L150PT TO-247 Diodos de Schottky de baja frecuencia con tiempo de recuperación inverso bajo
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2025-02-08 09:44:08

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