Inicio Productoshigh voltage igbt fabricante en línea

Todos los productos

Inversor IGBT
(47)

IGBT de alta potencia
(48)

MOSFET del poder más elevado
(48)

MOSFET de súper unión
(48)

MOSFET de bajo voltaje
(81)

MOSFET de alto voltaje
(54)

Diodos de barrera de Schottky
(80)

Diodos de recuperación rápida
(49)

Baja FV de Schottky
(65)

Semiconductor de alta potencia
(28)

MOSFET de carburo de silicio
(21)

El carburo de silicio SBD
(21)

Certificación

China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

Gran producto, exactamente como se describe, envío rápido y gran servicio.

—— ¿Qué quieres decir?

muy rápido envío, bien empaquetado y estos cables son definitivamente de alta calidad! no he comprado en ningún otro lugar y seguirá recibiendo mis cables de este vendedor! AAA+++

—— el hombre

Excelente servicio como de costumbre he comprado de este vendedor varias veces entrega rápida

—— ¿ Qué pasa?

Estoy en línea para chatear ahora

high voltage igbt fabricación en línea

(594)

Diodos de recuperación rápida de 30A600V Diodo con alta luminosidad con arreglo a la normativa RoHS FRD MUR3060PT
Contacto

2025-02-10 11:01:34

HBT20L200FCT Conmutación de baja tensión 20A200V Schottky en paquete TO-220F
Contacto

2025-02-08 09:44:17

LT140N04AG 140A 40V UPS de silicio de baja tensión Mosfet PDFN5060
Contacto

2025-03-29 23:29:49

40A100V SBT40U100CT Bajo VF Schottky Ultra Bajo Voltado Avanzado Para Iluminación
Contacto

2025-02-08 09:44:04

Diodos de barrera de Schottky de 20A60V MBR2060CT con baja tensión de VF hacia adelante
Contacto

2025-02-08 09:43:18

10A45V MBR1045CT Diodos de barrera Schottky de baja tensión VF para adaptadores
Contacto

2025-02-08 09:43:18

Fuente de alimentación de conmutación de alta frecuencia 16A450V Diodos de barrera Schottky para el convertidor de CC/DC a bordo MBR1645FCT
Contacto

2025-02-08 09:43:27

Diodos de barrera de Schottky de alta corriente de 60A 150V TO-247 para suministros de red
Contacto

2025-02-08 09:43:24

Diodo de conmutación de alta velocidad de 60A600V con corriente de baja fuga MUR6060PT
Contacto

2025-02-08 09:43:44

Diodos de recuperación rápidos y ultrarápidos para circuitos de ultraalta frecuencia MUR3040FCT
Contacto

2025-02-08 09:43:47

Page 38 of 60|< << 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 >> >|

Inversor IGBT

IGBT de alta potencia

MOSFET del poder más elevado

MOSFET de súper unión

MOSFET de bajo voltaje

MOSFET de alto voltaje

Diodos de barrera de Schottky

Diodos de recuperación rápida

Baja FV de Schottky

Semiconductor de alta potencia

MOSFET de carburo de silicio

El carburo de silicio SBD

high voltage igbt fabricación en línea

Diodos de recuperación rápida de 30A600V Diodo con alta luminosidad con arreglo a la normativa RoHS FRD MUR3060PT
Contacto

HBT20L200FCT Conmutación de baja tensión 20A200V Schottky en paquete TO-220F
Contacto

LT140N04AG 140A 40V UPS de silicio de baja tensión Mosfet PDFN5060
Contacto

40A100V SBT40U100CT Bajo VF Schottky Ultra Bajo Voltado Avanzado Para Iluminación
Contacto

Diodos de barrera de Schottky de 20A60V MBR2060CT con baja tensión de VF hacia adelante
Contacto

10A45V MBR1045CT Diodos de barrera Schottky de baja tensión VF para adaptadores
Contacto

Fuente de alimentación de conmutación de alta frecuencia 16A450V Diodos de barrera Schottky para el convertidor de CC/DC a bordo MBR1645FCT
Contacto

Diodos de barrera de Schottky de alta corriente de 60A 150V TO-247 para suministros de red
Contacto

Diodo de conmutación de alta velocidad de 60A600V con corriente de baja fuga MUR6060PT
Contacto

Diodos de recuperación rápidos y ultrarápidos para circuitos de ultraalta frecuencia MUR3040FCT
Contacto

El carburo de silicio SBD

Diodos de barrera Schottky de carburo de silicio de potencia para horno eléctrico

SBD de carburo de silicio de alto voltaje de ruptura para centro de datos

Máquina de soldadura de carburo de silicio industrial

Inversor IGBT

15A 1200V Inverter Cortocircuito IGBT Resiste el tiempo 10μS para el conductor del motor

Modo de mejora IGBT de inversor fiable y robusto Canal N

Estación de carga Transistor IGBT multipropósito para aplicaciones OBC