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high power igbt fabricación en línea

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VF ultra bajo 30A 200V HBT30L200FCT TO-220F Schottky para comunicaciones inalámbricas
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10A HBT10L200SFCT Diodos de baja frecuencia con paquete TO-220F
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10A 200V HBT10L200 100% de cobre puro Diodos ultrabajos de Vf / diodo de voltaje muy bajo TO-220AB
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4A 650V 880mΩ Super Junction Mosfet con baja resistencia en el transistor HV
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