Inicio Productoshigh voltage semiconductor fabricante en línea

Todos los productos

Inversor IGBT
(47)

IGBT de alta potencia
(48)

MOSFET del poder más elevado
(48)

MOSFET de súper unión
(48)

MOSFET de bajo voltaje
(81)

MOSFET de alto voltaje
(54)

Diodos de barrera de Schottky
(80)

Diodos de recuperación rápida
(49)

Baja FV de Schottky
(65)

Semiconductor de alta potencia
(28)

MOSFET de carburo de silicio
(21)

El carburo de silicio SBD
(21)

Certificación

China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

Gran producto, exactamente como se describe, envío rápido y gran servicio.

—— ¿Qué quieres decir?

muy rápido envío, bien empaquetado y estos cables son definitivamente de alta calidad! no he comprado en ningún otro lugar y seguirá recibiendo mis cables de este vendedor! AAA+++

—— el hombre

Excelente servicio como de costumbre he comprado de este vendedor varias veces entrega rápida

—— ¿ Qué pasa?

Estoy en línea para chatear ahora

high voltage semiconductor fabricación en línea

(598)

70A 650V 38mΩ Si MOSFET de súper unión con diodo de recuperación rápida
Contacto

2025-02-10 10:28:07

40A60V SBT40L60FCT Unidades de suministro de energía Diodos Schottky de baja frecuencia VF TO-220F
Contacto

2025-02-10 11:02:56

20A100V SBT20V100FCT TO-220F Diodos Schottky de baja frecuencia para motores de propulsión
Contacto

2025-02-08 09:44:12

Diodos de Schottky de baja frecuencia para multiplicadores de frecuencia
Contacto

2025-02-08 09:44:12

20A150V SBT20V150FCT Schottky de baja frecuencia para comunicaciones inalámbricas
Contacto

2025-02-08 09:44:09

20A45V SBT20L45FCT TO-220F Diodos Schottky de baja frecuencia para rectificadores y adaptadores
Contacto

2025-02-08 09:44:09

20A150V Diodos de barrera Schottky para la conversión de CA en CC MBR20150FCT
Contacto

2025-02-08 09:43:27

30A 200V HBT30L200CT - Diodo Schottky de velocidad de conmutación y densidad de corriente
Contacto

2025-02-08 09:44:15

20A 650V Super Junction Mos para las fuentes de alimentación de los servidores de telecomunicaciones
Contacto

2025-02-08 09:42:14

Transistor de potencia de MOSFET de superunión tipo N anti-EMI para SMPS
Contacto

2025-03-29 23:27:27

Page 54 of 60|< << 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 >> >|

Inversor IGBT

IGBT de alta potencia

MOSFET del poder más elevado

MOSFET de súper unión

MOSFET de bajo voltaje

MOSFET de alto voltaje

Diodos de barrera de Schottky

Diodos de recuperación rápida

Baja FV de Schottky

Semiconductor de alta potencia

MOSFET de carburo de silicio

El carburo de silicio SBD

high voltage semiconductor fabricación en línea

70A 650V 38mΩ Si MOSFET de súper unión con diodo de recuperación rápida
Contacto

40A60V SBT40L60FCT Unidades de suministro de energía Diodos Schottky de baja frecuencia VF TO-220F
Contacto

20A100V SBT20V100FCT TO-220F Diodos Schottky de baja frecuencia para motores de propulsión
Contacto

Diodos de Schottky de baja frecuencia para multiplicadores de frecuencia
Contacto

20A150V SBT20V150FCT Schottky de baja frecuencia para comunicaciones inalámbricas
Contacto

20A45V SBT20L45FCT TO-220F Diodos Schottky de baja frecuencia para rectificadores y adaptadores
Contacto

20A150V Diodos de barrera Schottky para la conversión de CA en CC MBR20150FCT
Contacto

30A 200V HBT30L200CT - Diodo Schottky de velocidad de conmutación y densidad de corriente
Contacto

20A 650V Super Junction Mos para las fuentes de alimentación de los servidores de telecomunicaciones
Contacto

Transistor de potencia de MOSFET de superunión tipo N anti-EMI para SMPS
Contacto

El carburo de silicio SBD

Diodos de barrera Schottky de carburo de silicio de potencia para horno eléctrico

SBD de carburo de silicio de alto voltaje de ruptura para centro de datos

Máquina de soldadura de carburo de silicio industrial

Inversor IGBT

15A 1200V Inverter Cortocircuito IGBT Resiste el tiempo 10μS para el conductor del motor

Modo de mejora IGBT de inversor fiable y robusto Canal N

Estación de carga Transistor IGBT multipropósito para aplicaciones OBC