Inicio Productoshigh voltage n channel mosfet fabricante en línea

Todos los productos

Inversor IGBT
(47)

IGBT de alta potencia
(48)

MOSFET del poder más elevado
(48)

MOSFET de súper unión
(48)

MOSFET de bajo voltaje
(81)

MOSFET de alto voltaje
(54)

Diodos de barrera de Schottky
(80)

Diodos de recuperación rápida
(49)

Baja FV de Schottky
(65)

Semiconductor de alta potencia
(28)

MOSFET de carburo de silicio
(21)

El carburo de silicio SBD
(21)

Certificación

China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

Gran producto, exactamente como se describe, envío rápido y gran servicio.

—— ¿Qué quieres decir?

muy rápido envío, bien empaquetado y estos cables son definitivamente de alta calidad! no he comprado en ningún otro lugar y seguirá recibiendo mis cables de este vendedor! AAA+++

—— el hombre

Excelente servicio como de costumbre he comprado de este vendedor varias veces entrega rápida

—— ¿ Qué pasa?

Estoy en línea para chatear ahora

high voltage n channel mosfet fabricación en línea

(144)

IGBT de baja fuga de N canales de alta potencia para aplicaciones industriales
Contacto

2025-02-08 09:44:30

TO-247 N Canal Semiconductor de alta potencia para pila de carga
Contacto

2025-02-08 09:44:31

N canal de alta potencia semiconductor TO-220F con resistencia a altas temperaturas
Contacto

2025-02-08 09:44:32

7A 650V 520mΩ TO-252 Regulador de conmutación Mosfet de súper unión
Contacto

2025-02-08 09:42:28

Corrección del factor de potencia Superjunción MOSFET 11A 650V 350mΩ
Contacto

2025-02-08 09:42:28

Diseño de tipo N Semiconductor de alta potencia TO-220F con capacidades de conmutación rápida
Contacto

2025-02-08 09:44:29

Capacidad de bloqueo de alto voltaje TO-247 IGBT 40A 1200V para la conversión de energía
Contacto

2025-02-10 09:39:52

Interruptor de alta tensión MOSFET de potencia de alta tensión MOSFET de canal p
Contacto

2025-06-11 15:35:29

10A650V MOSFET HV de canal N CS10N65A2 TO-220F para cargador de energía
Contacto

2025-02-08 09:42:59

Almacenamiento de energía MOSFET de baja tensión TO-220F N Canal Capacidad EAS alta
Contacto

2025-02-08 09:42:50

Page 7 of 15|< << 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 >> >|

Inversor IGBT

IGBT de alta potencia

MOSFET del poder más elevado

MOSFET de súper unión

MOSFET de bajo voltaje

MOSFET de alto voltaje

Diodos de barrera de Schottky

Diodos de recuperación rápida

Baja FV de Schottky

Semiconductor de alta potencia

MOSFET de carburo de silicio

El carburo de silicio SBD

high voltage n channel mosfet fabricación en línea

IGBT de baja fuga de N canales de alta potencia para aplicaciones industriales
Contacto

TO-247 N Canal Semiconductor de alta potencia para pila de carga
Contacto

N canal de alta potencia semiconductor TO-220F con resistencia a altas temperaturas
Contacto

7A 650V 520mΩ TO-252 Regulador de conmutación Mosfet de súper unión
Contacto

Corrección del factor de potencia Superjunción MOSFET 11A 650V 350mΩ
Contacto

Diseño de tipo N Semiconductor de alta potencia TO-220F con capacidades de conmutación rápida
Contacto

Capacidad de bloqueo de alto voltaje TO-247 IGBT 40A 1200V para la conversión de energía
Contacto

Interruptor de alta tensión MOSFET de potencia de alta tensión MOSFET de canal p
Contacto

10A650V MOSFET HV de canal N CS10N65A2 TO-220F para cargador de energía
Contacto

Almacenamiento de energía MOSFET de baja tensión TO-220F N Canal Capacidad EAS alta
Contacto

El carburo de silicio SBD

Diodos de barrera Schottky de carburo de silicio de potencia para horno eléctrico

SBD de carburo de silicio de alto voltaje de ruptura para centro de datos

Máquina de soldadura de carburo de silicio industrial

Inversor IGBT

15A 1200V Inverter Cortocircuito IGBT Resiste el tiempo 10μS para el conductor del motor

Modo de mejora IGBT de inversor fiable y robusto Canal N

Estación de carga Transistor IGBT multipropósito para aplicaciones OBC